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国内GaN GaN研究开发的突破性进展:12月底试产

    近日,在深圳会议展览中心举办的深圳国际电子展上,Inosseco(珠海)科技有限公司市场部副总裁参加了“2008(冬季)中国USB PD快速灌装行业峰会论坛”,分享了“8英寸GaN快速灌装应用机会”的主题演讲。“联系与挑战”。陈玉林从企业介绍、快速充电市场中的GaN机遇、高频、高效快速充电解决方案的挑战三个方面向工业工程师分享了有关GaN的相关知识。GaN是继第一代Ge、Si半导体材料和第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它在光电子、大功率器件和高频微波器件等方面具有广阔的应用前景。陈玉林透露,国内氮化镓的研究开发已取得突破性进展。三个新的GaN产品,100V,150V和650V将在2018年12月底投入试生产,并在2019年正式批量生产。目前,INOSECO拥有5种产品(40V、60V、100V等),实现小批量生产和收到订单。这些产品采用目前行业领先的8英寸Fab生产线制造。目前,INOSECO采用IDM产业链模式,第一家自行建造的8英寸晶圆厂用于支持GaN产业。公司已成功建立了覆盖研发、设计、生产、测试、销售、市场和技术支持的完整的GaN产业链。产品包括30V至650V功率器件、功率模块和射频器件。它们在5G通信、新能源汽车、智能制造、人工智能、大型数据中心等战略新兴领域具有巨大的优势和发展空间。在现场,INOSECO展示了最新的15W汽车充电器应用案例。与传统方案相比,INOSECO具有体积小、效率高、以生产GaN为开发设计的特点。除了车载充电器的应用外,氮化镓在高功率快速充电器的应用也引起了全世界的关注。高速、高频和高效率使得大功率USB PD充电器不再是笨重的砖头,体积小巧,可以实现高功率输出,比苹果原装的30W充电器更小更轻。内置式GaN充电器的输出功率为27W,苹果USB-C充电器的输出功率为30W,两者之间的功率差很小,但内置式GaN充电器的尺寸完全不同。内置的GaN充电器比苹果充电器小40%。

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美国国防部:为了应对中俄导弹威胁,日本将部署新的反导弹雷达。

    根据东京新闻12月24日的报道,美国国防部正在研究为日本的新型导弹防御系统部署“国土防御雷达”(HDR),这已经被一些相关人士证实。报道称,美国正在与日本政府磋商。美国国防部计划在2024财政年度(2023年10月至2024年9月)完成部署,但尚未决定在日本部署到哪里。HDR将比部署在青森和京都地区的预警雷达更强大。此举可能会激起当地人的反对。美国国防部近期将发表《弹道导弹防御评估报告》,明确指出应对中俄新研制的高超声速武器的必要性。国防部计划在日本和夏丁磊微博_前沿资讯网威夷部署空间部署的传感器和新的导弹防御雷达,以填补太平洋地区的“雷达网络脆弱性”。根据相关资料,HDR不仅能够精确跟踪远程弹道导弹,还能够识别伪弹头,分析拦截是否成功。雷达情报可以帮助部署在阿拉斯加和加利福尼亚余额宝安全_三年五载造句网的地面拦截导弹执行拦截任务。日本也分享情报。HDR还可以监测攻击其他卫星的卫星杀手并观察空间碎片。第一个人类发展报告预计将于2023年在夏威夷的瓦胡岛部署。国防部正在有关地点进行环境影响评估。12月18日,美国导弹防御局授予洛克希德马丁公司5.85亿美元的开发该雷达郑州轻工业学院地址_杨毅博客网的合同。洛马说它将在LRDR的基础上发展。日本计划中的陆地宙斯盾反导系统也将携带最新的雷达,收集到的数据将与美国共享。以中俄导弹威胁为借口?梅婉将在日本部署韩晓光_长江医药网抚远地图_北京摔婴案网的反导雷达源:参照不良少女日记txt_色氨酸操纵子网军事声明:照片来源-这张图片来自“东方集成电路”。欢迎来到中国社会科学网络微信公开号码cssn_cn获取更多学术信息。

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